증폭기 예제

그림 9.5.1에서 이전 바이어싱 운동을 예로 들지만 3KΩ RE를 RE1 = 1KΩ 및 RE2 = 2KΩ + C1 = 1uF로 그림 9.5.4로 분할하면 C1이 RE2를 효과적으로 단락시키는 고주파수에 대한 작은 신호 게인을 다시 계산할 수 있습니다. , 이 게시물에서 는 합산 앰프와 두 개 이상의 신호를 평균하는 방법을 보여줍니다. 합산 증폭기 전송 함수를 파생시키는 방법에서 나는 그림 1 ADALM1000 실험실 활동, BJT 공통 베이스 앰프 ADALM1000 실험실 활동, BJT 공통 게이트 증폭기 ADALM1000 실험실 활동, 접힌 캐스코드 증폭기에 표시된 합산 증폭기가 있다고 썼다. 응용 분야는 수많은, 몇 가지 일반적인 예는 가정용 스테레오 또는 공공 주소 시스템의 오디오 증폭기, 반도체 장비용 RF 고출력, 무선 송신기와 같은 RF 및 마이크로파 애플리케이션이다. 처음에 나는 그가 차동 증폭기를 사용해야한다고 생각했다. 그러나, 내가 게시 한 기사에 따라, MasteringElectronicsDesign.com : 차동 증폭기 해결 – 파트 1, 파트 2 및 파트 3 차동 증폭기에 기초한 솔루션은 입력에 음의 전압 레벨이 필요합니다. V1은 0V에서 5V로의 입력일 수 있지만 출력이 양수 값으로 이동하도록 V2는 음수여야 합니다. NPN의 경우 계산이 다소 더 많이 관련됩니다. 우리는 IB가 50uA와 같기를 원한다는 것을 알고 있습니다. R1에서 흐르는 전류는 R2가 무한하고 R2에서 전류 흐름이 없을 때 R1에 상한을 두는 R2 및 IB의 전류 합계입니다. 명목 VBE가 0.65볼트라고 가정하면 R1은 7.35V/50uA 또는 147KΩ보다 커야 합니다. 전압 분배기의 목적은 V+의 변동을 감쇠시켜 트랜지스터의 DC 작동 점을 V+에 덜 민감하게 만드는 것입니다.

이를 위해 R2의 전류를 IB보다 몇 배 더 크게 만들어야 합니다. 예를 들어 IR2를 9회 IB로 지정하면 R1의 전류는 10*IB 또는 500uA가 됩니다. R1은 상한 또는 14.7KΩ으로 계산한 1/10입니다. R2는 VBE를 450uA 또는 0.8921의 분배자 비율인 1.444KΩ으로 나눕니다. 단순히 8V-VBE/8V를 비율로 사용했다면(VBE = 0.65V가정) 디바이더 비율은 0.8125였을 것입니다. IB를 고려하면 필요한 비율이 바뀌었습니다. 실제 VBE가 이 계산에 사용된 0.65볼트(또는 β가 200이 아님)가 아닌 경우 이러한 값을 약간 조정해야 합니다. 이것은 우리가 위의 MOS 예제에서 지적한 바와 같이이 편향 방식의 주요 한계를 지적합니다. 즉, 공급 전압 및 온도뿐만 아니라 VBE 및 β와 같은 장치 특정 특성에 대한 민감도입니다. 두 곡선 세트에 중첩된 빨간색 선은 400옴 RL의 DC 하중 선을 나타냅니다.

출력 스윙을 최대화하려면 트랜스이스터의 작동 점을 제로 입력 신호와 함께, 공급 전압의 절반의 드레인 또는 컬렉터 전압에서 설정하는 것이 바람직하며, 이 경우 4볼트가 될 것이다. 하중 선을 따라 해당 드레인 또는 수집기 전류를 찾는 것은 우리에게 목표 전류 레벨을 제공합니다. 이것은 400 옴에 해당하는 RL에 대한 약 10mA입니다. 다음 단계는 10mA ID 또는 IC에 대한 상응하는 VGS 또는 IB를 결정하는 것입니다. NMOS 예에서 각 곡선은 0.1볼트 단계에서 0.9Vts ~ 1.5Vs의 상이한 VGS를 나타낸다. 이 예에서 사용되는 NMOS 장치는 약 40mA/V의 전도도를 가합니다. 로드 라인의 10mA 점과 동일한 ID는 1.4V 및 1.3V 곡선 또는 1.32V의 VGS 사이에 속합니다.

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