가우스 법칙 예제

영역을 통한 전기 플럭스는 필드에 수직인 평면에 투영된 표면 영역을 곱한 전기장으로 정의됩니다. 가우스의 법칙은 모든 닫힌 표면에 적용되는 일반적인 법입니다. 전하 분포 외부의 표면에 필드를 매핑하여 밀폐 된 전하의 양을 평가 할 수 있기 때문에 중요한 도구입니다. 충분한 대칭의 형상의 경우 전기장 계산을 단순화합니다. 첫 번째 방법: 충전이 체적 전체에 균일하게 분포되기 때문에 동봉된 충전량은 동봉된 체적에 정비례합니다. 따라서 총 충전에 동봉된 충전량의 비율은 가우시안 표면으로 둘러싸인 볼륨의 비율과 충전 공의 총 부피의 비율과 같습니다: 이 것을 우리의 표현식으로 대체합니다}\\, 4pi r^2) 가우시안 서피스 수율로 둘러싸인 요금: 다시 말하지만, (E)는 반지름의 가우시안 표면의 모든 지점에서 동일한 값을 가지므로 왼쪽의 정수는 무한합계의 각 (dA)에 (E)의 동일한 값을 곱합니다. 따라서 합계(정수)에서 (E)를 팩터링할 수 있습니다. 이렇게 하면 가우스의 법칙을 사용하여 관계에 도달하기 위해 몇 페이지가 다시 생성됩니다(E4pi r^2=frac{Q_{mbox{enclosed}}}}}}{\)에 연결할 수 있습니다(Q_{mbox{enclosed}}). 이렇게 하면 출력량을 플럭스 밀도로 이해할 수 있습니다. 가우스의 법칙은 해당 표면에 의해 경계된 체적에 순 전하가 포함되어 있지 않는 한 주어진 닫힌 표면을 통과하는 순 전기 플럭스가 0임을 의미합니다. 전기장은 방사형이기 때문에 모든 지점에서 가우시안 표면에 수직입니다.

즉, 영역 요소 벡터 (vec{dA})와 평행합니다. 즉, 도트 제품 (vec{E}cdot vec{dA})은 크기의 (EdA)의 곱과 같습니다. 이 수율: 무료, 아니 필드. 아니면 다른 방법으로 라운드인가? 컨덕터는 필드가 없으므로 가우시안 표면 내부에 순 전하가 없습니다. 일반적으로 양전하가 양극 전기장을 생성하도록 되어 있습니다.

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